Sul mercato i nuovi MOSFET a canale N a bassa resistenza di conduzione di Toshiba

7 Dicembre 2012, di Redazione Wall Street Italia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) ha lanciato un nuovo MOSFET a bassa resistenza di conduzione, il TPN2R503NC, fabbricato con l’ottavo e più recente processo di produzione e destinato all’uso nei circuiti di protezione delle batterie agli ioni di litio e negli interruttori di accensione e spegnimento dei dispositivi mobili. Due altri prodotti di ottava generazione, TPN4R203NC e TPN6R303NC, sono stati aggiunti al portafoglio aziendale come successori di modelli preesistenti. Tutti e tre i prodotti possono contribuire alla riduzione dello spessore e delle dimensioni globali dei dispositivi mobili, migliorandone al contempo l’efficienza. Toshiba N-channel Low ON-Resistance MOSFET (Photo: Business Wire) Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido. Galleria Fotografica/Multimediale Disponibile: http://www.businesswire.com/multimedia/home/20121207005209/it/

Toshiba Semiconductor & Storage Products CompanyKoji Takahata, [email protected]