Intel e Micron creano per prime un dispositivo di memoria flash NAND inferiore ai 40 nanometri

Intel Corporation e Micron Technology, Inc. (NYSE: MU) hanno presentato oggi il primo dispositivo di memoria NAND di dimensioni inferiori ai 40 nanometri (nm) con il debutto di un chip “multi level cell” (MLC) a 34 nm dalla capacità di 32 gigabit (Gb). Questa tecnologia di processo è stata sviluppata congiuntamente da Intel e Micron ed è prodotta da IM Flash Technologies (IMFT), la joint venture delle due società per il settore delle memorie flash NAND. Si tratta del più piccolo prodotto con architettura di processo NAND disponibile sul mercato. Il chip NAND da 32 Gb è il solo dispositivo monolitico di questa densità capace di inserirsi in un TSOP (thin small-outline package) a 48 pin, fornendo la possibilità di realizzare in modo economico densità più elevate nelle applicazioni esistenti. Le spedizioni di campioni ai clienti avranno inizio a giugno, mentre la produzione su ampia scala è prevista per la seconda metà di quest’anno. “Questo nuovo dispositivo da 32 Gb fornisce la densità di memorizzazione più elevata disponibile nel settore” ha affermato Brian Shirley, vicepresidente del Gruppo Memory di Micron. “Insieme ai nostri partner di Intel, siamo orgogliosi di aver ottenuto il primato nella tecnologia dei processi di produzione.” “L’introduzione della tecnologia di processo a 34 nm mette in luce il rapido progresso di IMFT e ci colloca all’avanguardia nella tecnologia di processo NAND” ha commentato Pete Hazen, direttore marketing del Gruppo NAND Products di Intel. “Questi sviluppi amplieranno la nostra proposta di valore e abbrevieranno i tempi di adozione di soluzioni con unità a stato solido (solid-state drive, SSD) nelle piattaforme informatiche.” I chip da 32 Gb a 34 nm verranno realizzati su wafer da 300 millimetri, con una produzione di circa 1,6 terabyte di NAND ciascuno. Con una dimensione di appena 172 mm², inferiore quindi a quella di una miniatura, il chip da 32 Gb a 34 nm consentirà di realizzare in modo economico la memorizzazione a elevata densità su dispositivi a stato solido in applicazioni small form factor, ovvero di dimensioni ridotte. In un solo chip da 32 Gb sarebbe possibile memorizzare oltre 2000 fotografie digitali ad alta risoluzione oppure fino a 1000 brani su un lettore musicale personale. Due package con densità 8 die potrebbero fornire 64 gigabyte (GB) di capacità di memoria, sufficienti per registrare da otto a 40 ore di video ad alta risoluzione su una telecamera digitale. Il chip da 32 Gb a 34 nm è stato progettato pensando alle unità a stato solido. Il prodotto consentirà di realizzare SSD in modo economicamente più efficace, raddoppiando immediatamente l’attuale capacità di memorizzazione di questi dispositivi e portando la capacità a oltre 256 GB nello standard odierno, il form factor da 1,8 pollici, di dimensioni inferiori. Gli SSD stanno diventando il nuovo supporto di memorizzazione per i notebook, grazie a minori consumi energetici, tempo di avvio più breve, maggiore affidabilità e prestazioni migliori, oltre che per la ridotta rumorosità rispetto alle unità disco fisso. Con le innovazioni della tecnologia di processo NAND, ad esempio con il processo NAND a 34 nm, gli SSD offrono oggi un’ampia gamma di capacità in grado di soddisfare le esigenze del mercato. Intel e Micron intendono inoltre introdurre entro la fine di quest’anno prodotti multi level cell a densità inferiore, oltre a prodotti single level cell, basati sull’architettura a 34 nm. Informazioni su Intel Intel (NASDAQ: INTC), leader mondiale nell’innovazione informatica, sviluppa tecnologie, prodotti e iniziative per favorire continuamente il modo in cui tutti noi lavoriamo e viviamo. Ulteriori informazioni su Intel sono disponibili alle pagine www.intel.com/pressroom e http://blogs.intel.com. Per ulteriori informazioni sui prodotti flash NAND Intel, visitare www.intel.com/design/flash/nand. Informazioni su Micron Micron Technology, Inc. è un fornitore leader mondiale di soluzioni avanzate basate su semiconduttori. Nelle sue sedi operative di tutto il mondo, Micron produce e commercializza memorie DRAM, flash NAND, sensori di immagini CMOS, altri componenti a semiconduttori e moduli di memoria destinati a prodotti informatici, di elettronica di consumo, per reti e mobili all’avanguardia. Le azioni di Micron sono scambiate alla New York Stock Exchange (NYSE) con la sigla MU. Per ulteriori informazioni su Micron Technology, Inc., si invita a visitare il sito www.micron.com. ©2008 Micron Technology, Inc. e Intel Corporation. Tutti i diritti riservati. Informazioni soggette a modifiche senza preavviso. Micron e il logo di Micron sono marchi di fabbrica di Micron Technology, Inc. Intel è un marchio di fabbrica di Intel Corporation negli Stati Uniti e in altri Paesi. Tutti gli altri marchi sono di proprietà dei rispettivi titolari. Il presente comunicato stampa contiene affermazioni previsionali relative alla produzione del dispositivo NAND da 32 Gb a 34 nm. Gli eventi o i risultati effettivi potrebbero differire sostanzialmente da quelli indicati nelle affermazioni previsionali. Si prega di consultare la documentazione che la Società deposita di volta in volta su base consolidata presso la Securities and Exchange Commission, in modo specifico gli ultimi Moduli 10-K e 10-Q. Tali documenti contengono e individuano importanti fattori che potrebbero determinare una sostanziale diversità dei risultati effettivi della Società su base consolidata rispetto a quelli contenuti nelle affermazioni previsionali da essa rilasciate (si veda la sezione Determinati fattori). Per quanto ritenga che le ipotesi prospettate nelle affermazioni previsionali siano ragionevoli, la Società non può garantire risultati, livelli di attività, rendimenti o raggiungimenti futuri. Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.

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