Intel Corporation e Micron Technology Inc. (NYSE:MU) hanno annunciato oggi la produzione di massa del dispositivo di memoria flash NAND a cella multilivello (MLC) a 34nm da 32 gigabit sviluppato congiuntamente. Sviluppata e prodotta da IM Flash Technologies (IMFT), la joint venture delle due società nel settore flash NAND, questa tecnologia di processo si configura come la più avanzata disponibile sul mercato e abilita l’unico chip NAND monolitico da 32 Gb del settore in grado di inserirsi in un pacchetto standard a 48 lead (TSOP, thin small-outline package). La produzione delle NAND a 34nm è in anticipo sulla tabella di marcia e le società prevedono che entro la fine dell’anno l’impianto di Lehi realizzerà una transizione superiore al 50% della propria capacità produttiva verso la tecnologia a 34nm. “La nostra competenza nel processo di produzione delle NAND ha fatto segnare notevoli progressi e abbiamo assunto un ruolo di guida nel processo produttivo a 34nm” ha dichiarato Brian Shirley, vicepresidente di Micron’s Memory Group. “Il minuscolo chip da 32 Gb a 34nm consente ai nostri clienti di incrementare con facilità la capacità di memorizzazione in numerosi prodotti di consumo e informatici.” “I traguardi raggiunti da IMFT superano ogni nostra aspettativa” ha commentato Randy Wilhelm, vicepresidente e direttore generale, Intel NAND Solutions Group. “L’indiscutibile primato nella produzione delle NAND ci consente di mettere a disposizione dei nostri clienti soluzioni NAND caratterizzate da valore e prestazioni superiori e da un ridotto consumo energetico.” I chip da 32 Gb a 34nm sono prodotti su wafer da 300 millimetri. Con i suoi 172mm², che lo rendono più piccolo di un’unghia, il chip da 32 Gb a 34nm consentirà di realizzare in modo economicamente vantaggioso una memorizzazione allo stato solido a elevata densità in applicazioni con fattore di forma ridotto, tra cui fotocamere digitali, lettori musicali personali e videocamere digitali. Il chip consentirà inoltre di ampliare la disponibilità di unità allo stato solido efficienti in termini di costo espandendone sensibilmente l’attuale capacità di memorizzazione. Le società prevedono inoltre di avviare all’inizio del 2009 la distribuzione dei campioni di prodotti multi-level cell (MLC) e single-level cell (SLC) a densità inferiore basati sulla tecnologia di processo a 34nm. Informazioni su Intel Intel (NASDAQ: INTC), leader mondiale nell’innovazione informatica, sviluppa tecnologie, prodotti e iniziative per favorire costantemente il lavoro e la vita di tutti noi. Ulteriori informazioni su Intel sono disponibili agli indirizzi www.intel.com/pressroom e http://blogs.intel.com. Per ulteriori informazioni sulle soluzioni NAND flash di Intel, visitare il sito all’indirizzo www.intel.com/go/ssd. Informazioni su Micron Micron Technology, Inc. è uno dei fornitori leader a livello mondiale di soluzioni avanzate nel campo dei semiconduttori. Mediante le sue operazioni a livello mondiale, Micron produce e distribuisce DRAM, memorie flash NAND, sensori per immagini CMOS, altri componenti a semiconduttore e moduli di memoria destinati a prodotti all’avanguardia nei segmenti di mercato informatica, prodotti di consumo, networking e telefonia mobile. Micron è quotata alla Borsa di New York (NYSE) con il simbolo MU. Per ulteriori informazioni su Micron Technology, Inc., visitare il sito all’indirizzo www.micron.com. ©2008 Micron Technology, Inc. e Intel Corporation. Tutti i diritti riservati. Informazioni soggette a modifica senza preavviso. Micron e il logo Micron sono marchi commerciali di proprietà di Micron Technology, Inc. Intel è un marchio commerciale di proprietà di Intel Corporation negli Stati Uniti e in altri paesi. Tutti gli altri marchi commerciali sono di proprietà dei rispettivi titolari. Il presente comunicato stampa contiene dichiarazioni a carattere di previsione relative alla produzione del dispositivo NAND da 32 Gb a 34nm e alla distribuzione dei campioni di prodotti MLC e single-level cell a densità inferiore basati sulla tecnologia di processo a 34nm. Gli eventi o risultati effettivi potrebbero discostarsi in maniera sostanziale da quelli contenuti nelle suddette dichiarazioni aventi carattere di previsione. Si prega di fare riferimento ai documenti depositati da Micron su base consolidata e a scadenza periodica presso la Commissione statunitense preposta al controllo della Borsa e delle società (Securities and Exchange Commission, SEC) e in termini specifici al Modulo 10-K e al Modulo 10-Q depositati più di recente. I suddetti documenti contengono e identificano alcuni fattori importanti che potrebbero dare adito a delle divergenze sostanziali tra i risultati effettivamente conseguiti dalla Società su base consolidata e quelli contenuti invece nelle dichiarazioni aventi carattere di previsione (si veda la Sezione Determinati fattori). Sebbene la società ritenga che le aspettative espresse nelle dichiarazioni aventi carattere di previsione in oggetto siano ragionevoli, essa non può garantire i risultati, i livelli di attività, la performance o i progressi futuri. Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.
Micron Technology, Inc.Kirstin Bordner, +1 [email protected] CorporationConnie Brown, +1 [email protected] Intel CorporationDeborah Paquin, +1 [email protected]
