Toshiba sviluppa una nuova tecnologia di gate stack ad alta costante k/Ge per LSI a nodo a 16 n
Toshiba Corporation (TOKYO : 6052) ha annunciato oggi un significativo passo avanti nello sviluppo di un gate stack e di un interstrato con elevata mobilità carrier in grado di essere applicati a transistori ad effetto di campo con porta isolata metallicamente (MISFET) nelle generazioni future di LSI. Il gate stack ultrasottile con spessore di ossido equivalente (EOT, Equivalent Oxide Thickness)(1) scalabile ad alta costante k/Ge di germaniuro di stronzio (SrGex) ad elevata mobilità carrier rappresenta una tecnologia fondamentale con un potenziale di applicazione in MISFET da nodo a 16nm e oltre. Galleria Fotografica/Multimediale Disponibile: http://www.businesswire.com/cgi-bin/mmg.cgi?eid=5986633&lang=it Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.
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