Toshiba sviluppa un sistema SRAM a bassissimo tasso di perdita (XLL SRAM) che consente a MCU a

12 Febbraio 2014, di Redazione Wall Street Italia

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha annunciato in data odierna di aver sviluppato un sistema SRAM da 65 nm con perdite estremamente basse (XLL SRAM) adatto alle RAM di backup in MCU a bassa potenza che realizzano così un rapido riavvio da una modalità di sospensione duratura. Toshiba ha presentato questo progetto alla Conferenza Internazionale sui Circuiti a Stato Solido 2014 (IEEE) tenutasi a San Francisco (California) l’11 febbraio. Vi è una forte richiesta di tempi di scaricamento delle batterie lunghi nei sistemi a passa potenza, inclusi i dispositivi indossabili, gli strumenti di uso sanitario e i misuratori intelligenti. Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.

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