Toshiba sviluppa la memoria RAM non volatile con la maggior densità e la più elevata larghezza
Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) ha annunciato oggi il prototipo di una nuova memoria FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) che ridefinisce gli standard del settore in quanto a densità e velocità operativa. Il nuovo chip presenta una capacità di 128 megabit e una velocità di lettura e scrittura di 1,6 gigabyte al secondo, la combinazione più avanzata di performance e densità che sia mai stata raggiunta. Informazioni particolareggiate sulla nuova memoria FeRAM verranno rilasciate questa settimana in occasione della conferenza internazionale dedicata ai circuiti allo stato solido (International Solid-State Circuits Conference) del 2009 (ISSCC2009) a San Francisco, Stati Uniti. La nuova memoria FeRAM modifica l’architettura originaria chainFeRAMTM di Toshiba, che contribuisce in misura significativa alla scalabilità del chip, con una nuova architettura che previene la degradazione dei segnali delle celle, che costituisce lo svantaggio normalmente associato alla scalabilità del chip. Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.
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