Toshiba presenta un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 100V a bassa resistenza di conduzione

6 Marzo 2013, di Redazione Wall Street Italia

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza da 100V a bassa resistenza di conduzione e bassa dispersione, usando la più avanzata tecnologia MOS trench, a completamento della propria linea di prodotti destinati al settore automobilistico. Il nuovo prodotto, TK55S10N1, presenta una bassa resistenza di conduzione grazie alla combinazione di chip della “serie U-MOS VIII-H”, realizzati con la più recente tecnologia MOS trench di ottava generazione, con il pacchetto “DPAK+” in cui vengono impiegati connettori di rame. Il prodotto è indicato soprattutto per l’impiego in ambito automobilistico, specialmente laddove è richiesta una commutazione ad alta velocità come nei regolatori di commutazione. Toshiba Low ON-Resistance N-ch Power MOSFET (Photo: Business Wire) Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido. Galleria Fotografica/Multimediale Disponibile: http://www.businesswire.com/multimedia/home/20130306005600/it/

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