Micron e Nanya sviluppano una memoria DDR2 a basso consumo energetico per applicazioni mobili

12 Febbraio 2009, di Redazione Wall Street Italia

Micron Technology, Inc., e Nanya Technology Corporation hanno annunciato oggi lo sviluppo congiunto della tecnologia DRAM DDR2 (LPDDR2) a basso consumo energetico per applicazioni mobili e per i consumatori con densità di piastrina iniziali di fino a 1 Gb. Sviluppata tramite il programma di sviluppo congiunto di prodotti DRAM (joint development program, JDP) delle due società, la memoria LPDDR2 è stata progettata ai fini del funzionamento alla tensione di 1,2 volt, il che si traduce in una riduzione del consumo energetico di fino al 50 per cento rispetto alla memoria LPDDR1. “La memoria DRAM LPDDR2 è importante per la progettazione delle attuali applicazioni mobili, in quanto consente di prolungare la durata della batteria dei dispositivi grazie al consumo energetico ridotto e al miglioramento della performance generale del sistema rispetto alla memoria a basso consumo energetico DDR1”, ha affermato John Schreck, Vicepresidente responsabile della progettazione di prodotti DRAM presso Micron. “Lo sviluppo della memoria LPDDR2 ad alta performance è da attribuirsi ai rapidi progressi da noi compiuti relativamente alla progettazione tecnologica grazie al nostro programma di sviluppo congiunto con Nanya. Ci auguriamo di ampliare ulteriormente la nostra collaborazione con Nanya, continuando ad offrire ai nostri clienti dei design DRAM leader del settore.” “Il successo tecnico del design LPDDR2 congiuntamente sviluppato ha promosso una collaborazione di natura sinergetica tra i due importanti fornitori di memorie DRAM, che si adoperano ai fini dell’offerta ai clienti di design e tecnologie leader del settore”, ha dichiarato Joe Ting, Vicepresidente senior di Nanya. “Quale nuovo operatore del settore delle memorie DRAM a basso consumo energetico, Nanya intende lanciare una serie di prodotti avanzati incorporanti caratteristiche sia di basso consumo energetico che di elevata performance in un unico design per rispondere alle esigenze future del mondo dei dispositivi mobili.” Informazioni su Micron Micron Technology, Inc., è uno dei maggior fornitori al mondo di soluzioni avanzate per semiconduttori. Mediante le sue operazioni di portata globale, Micron produce e vende moduli di memoria DRAM e di memoria flash NAND, sensori di immagini CMOS ed altri componenti per semiconduttori, nonché moduli di memoria per l’uso in prodotti d’avanguardia per il settore IT, per i consumatori, il networking e la telefonia mobile. Le azioni ordinarie di Micron sono quotate presso la Borsa valori di New York (NYSE) sotto il simbolo MU. Per ottenere ulteriori informazioni sul conto di Micron Technology Inc., si prega di visitarne il sito web all’indirizzo www.micron.com. Informazioni su Nanya Nanya Technology Corporation, membro di Formosa Plastics Group, è una società leader a livello mondiale nel settore dei semiconduttori avanzati per memorie, impegnata in attività di ricerca e sviluppo, nella progettazione, nella produzione e nella vendita di prodotti DRAM. Le azioni ordinarie di NTC sono quotate presso la Borsa valori di Taiwan (Taiwan Stock Exchange Corporation, TSEC) sotto il simbolo 2408. La società possiede attualmente uno stabilimento di produzione da 200 mm ed uno stabilimento di produzione da 300 mm a Taiwan. La società possiede inoltre una joint-venture per la produzione da 300 mm, Inotera Memories, Inc., che gestisce due stabilimenti di produzione da 300 mm a Taiwan. Ulteriori informazioni sono rinvenibili all’indirizzo http://www.nanya.com Micron ed il logo di Micron sono marchi commerciali di proprietà di Micron Technology, Inc. Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.

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