In arrivo la nuova memoria flash ad alta velocità NANO FLASH(TM)-100 di TOSHIBA per microcontro

4 Febbraio 2013, di Redazione Wall Street Italia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) ha annunciato in data odierna la creazione, sulla falsariga della propria versione originale NANO FLASH™, della nuova memoria NANO FLASH™-100 per microcontroller integrati, caratterizzata da un accesso molto più rapido. Retroscena dell’evento: Il gran numero di funzioni e l’elevata velocità delle prestazioni dei microcontroller integrati necessitavano di una memoria flash più capace, caratterizzata da velocità di accesso molto più elevate. Toshiba ha individuato e soddisfatto questa esigenza sviluppando NANO FLASH™, perfetta sintesi di due importanti caratteristiche: un’elevata velocità di programmazione, basata sulla tecnologia a celle delle memorie flash NAND, e la tecnologia dei circuiti delle memorie flash NOR. Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.

Toshiba CorporationSemiconductor & Storage Products CompanyKoji Takahata, +81-3-3457-3405semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp