GLOBALFOUNDRIES mostrerà il primato della tecnologia a 32nm/28nm al GSA Expo

30 Settembre 2009, di Redazione Wall Street Italia

Mentre il settore dei semiconduttori dà inizio alla transizione verso il prossimo nodo tecnologico, GLOBALFOUNDRIES si avvia ad assumere il ruolo di leader nella tecnologia per fab. Il primo ottobre, nel corso del Global Semiconductor Alliance Emerging Opportunities Expo & Conference in programma a Santa Clara, California, GLOBALFOUNDRIES (stand 321) presenterà gli ultimi dettagli del proprio percorso tecnologico per lo sviluppo di generazioni a 32nm/28nm e dell’approccio innovativo “Gate First” per la realizzazione di transistor basati sulla tecnologia High-K Metal Gate (HKMG). “A ogni nuova generazione tecnologica, le fab di semiconduttori devono confrontarsi con continue sfide economiche per sostenere R&S e il know-how che consenta una commercializzazione di queste tecnologie in grandi volumi”, ha dichiarato Len Jelinek, direttore e analista capo, iSuppli. Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.

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