GLOBALFOUNDRIES ha illustrato oggi un’innovativa tecnologia che potrebbe consentire di sorpassare uno dei principali ostacoli all’avanzamento dei transistor HKMG (High-K Metal Gate, gate in metallo con costante dielettrica elevata), determinando un passo avanti del settore verso la prossima generazione di dispositivi mobili, caratterizzati da maggiore potenza di elaborazione e durata delle batterie decisamente superiore. Il comparto dei semiconduttori viene applaudito per aver superato quelle che sembravano difficoltà insormontabili nel proseguire la tendenza verso prodotti più piccoli, più veloci e più efficienti sotto il profilo energetico. Realizzata in collaborazione con IBM attraverso la partecipazione di GLOBALFOUNDRIES alla IBM Technology Alliance, la nuova ricerca si propone di consentire la continuazione dello scaling dei componenti a semiconduttore verso il nodo a 22 nanometri e oltre. Al Simposio 2009 sulla Tecnologia VLSI di Kyoto, Giappone, GLOBALFOUNDRIES ha presentato la prima dimostrazione di una tecnica che consente lo scaling dello spessore di ossido equivalente (Equivalent Oxide Thickness, EOT) dei transistor HKMG ben oltre il livello richiesto per il nodo a 22 nanometri, mantenendo al contempo una combinazione di bassa dispersione, bassa tensione di soglia e superiore mobilità dei portatori di carica. “L’HKMG rappresenta una componente determinante del progetto tecnologico di GLOBALFOUNDRIES” ha affermato Gregg Bartlett, vicepresidente senior per le funzioni tecnologia e ricerca e sviluppo. Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.
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