Da Toshiba una nuova struttura per i MOSFET a ridotto consumo energetico per le applicazioni RF

11 Giugno 2013, di Redazione Wall Street Italia

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha annunciato in data odierna lo sviluppo di un transistor ad alto guadagno di potenza basato su un processo CMOS compatibile. Il transistor in questione è in grado di ridurre efficientemente il consumo energetico nelle applicazioni front-end RF/analogiche ad alta frequenza. I dettagli saranno presentati il 12 giugno in occasione del 2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits (Conferenze 2013 sui Circuiti e la Tecnologia VLSI) in programma a Kyoto, Giappone, dall’11 al 14 giugno 2013. La rapida diffusione delle connessioni wireless e dei dispositivi mobili, smart phone e tablet compresi, sta spingendo la domanda di circuiti RF/analogici in grado di offrire prestazioni elevate con un consumo ridotto. Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.

Toshiba CorporationSemiconductor & Storage Products CompanyMegumi Genchi/Kunio Noguchi, [email protected]